對(duì)待工作，態(tài)度認(rèn)真嚴(yán)謹(jǐn)，有較強(qiáng)的責(zé)任心，能夠吃苦耐勞，樂于接受新事物，同時(shí)注重團(tuán)隊(duì)合作，執(zhí)行力強(qiáng)。性格方面，樂觀開朗，積極向上，待人隨和，適應(yīng)環(huán)境能力強(qiáng)。
? 項(xiàng)目描述：釋放機(jī)臺(tái)真空腔體與大氣環(huán)境無buffer腔緩沖，受大氣影響工藝波動(dòng)大，且受CF4釋放工藝特性（去除polymer）限制，在線難以直接有QC監(jiān)控；CF4釋放速率快會(huì)導(dǎo)致刻蝕結(jié)構(gòu)中的SIN&TI的loss量多，導(dǎo)致RSVOUT壞圖，RV高等失效；釋放速率慢會(huì)導(dǎo)致Polymer殘留，造成麻點(diǎn)失效；即需解決因CF4釋放工藝波動(dòng)導(dǎo)致的RV波動(dòng)問題，因CF4釋放工序產(chǎn)生的壞圖和麻點(diǎn)失效，成測良率提升10%以上。
? 項(xiàng)目職責(zé)
? 1.對(duì)QC進(jìn)行不同溫度的拉偏，分析可得130℃內(nèi)對(duì)Ti的刻蝕速率較小且穩(wěn)定，可用作低溫溫度范圍。
? 2.對(duì)3812先行CF4低溫溫度拉偏驗(yàn)證，CF4低溫釋放可通過降低對(duì)TI的ER減少對(duì)PAS TI的刻蝕，能夠?qū)I釋放后的殘留Polymer去除干凈，并能明顯改善壞圖，最終選擇100℃進(jìn)行驗(yàn)證。
? 項(xiàng)目業(yè)績
? 1.導(dǎo)入CF4釋放低溫新工藝，實(shí)現(xiàn)工藝窗口擴(kuò)大化，穩(wěn)定釋放工藝。
? 2.解決因釋放帶來的麻點(diǎn)、壞圖失效，各產(chǎn)品成測良率提升約9%-24%。
? 3.明確Dummy & QC規(guī)則規(guī)范并更新SOP實(shí)施。
? 項(xiàng)目描述：CAP刻蝕后發(fā)現(xiàn)CP PAD發(fā)黑，顯檢下看是TIN已經(jīng)被刻蝕掉，CD下則是表面留下零星的不規(guī)則的TIN，另外部分AL露出來后被后腐蝕，造成外觀比較粗糙，產(chǎn)生發(fā)黑現(xiàn)象。即需改善CP PAD發(fā)黑問題，減少因此產(chǎn)生的封裝不良。
? 項(xiàng)目職責(zé)：
? 1.將刻蝕由時(shí)間控制改為終點(diǎn)控制，有效的改善了因過刻導(dǎo)致的CP PAD發(fā)黑問題。
? 2.負(fù)責(zé)調(diào)試PAS2刻蝕菜單，解決靜電吸附問題。
? 3.負(fù)責(zé)調(diào)試DPS C腔去膠菜單。
? 4.負(fù)責(zé)調(diào)試PAS2清洗菜單，改善因后腐蝕導(dǎo)致的CP PAD發(fā)黑問題。
? 項(xiàng)目業(yè)績：
? 1.有效的解決了CP PAD發(fā)黑問題，全線導(dǎo)入CAP刻蝕終點(diǎn)控制菜單。
? 2.在DPS調(diào)試出PAS2刻蝕和去膠的菜單，使得刻蝕和去膠均可在DPS中完成，減少與空氣接觸引起的后腐蝕，減少了因此而產(chǎn)生的封裝不良。
